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HMC7911LP5E/HMC7911LP5ETR衛(wèi)星通信上變頻器 ADI現(xiàn)貨熱銷

發(fā)布時間：2018-07-04 09:50:28 瀏覽：1901

HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。該器件提供14 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驅(qū)動放大器驅(qū)動LO的I/Q混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。立維創(chuàng)展HMC7911LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC7911LP5E HMC7911LP5ETR	17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器	現(xiàn)貨	136

HMC7911LP5E應(yīng)用

點對點和點對多點無線電
軍用雷達(dá)、EW和ELINT
衛(wèi)星通信
傳感器

HMC7911LP5E優(yōu)勢和特點

轉(zhuǎn)換增益：18 dB（典型值）
邊帶抑制：30 dBc（典型值）
針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）
輸出三階交調(diào)截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
IF輸入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
RF回波損耗：13 dB（典型值）
LO回波損耗：10 dB（典型值）
32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

HMC7911LP5E結(jié)構(gòu)圖

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