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新型混頻器MMIC如何利用GaN實現卓越的線性度

發布時間:2018-08-03 16:28:24     瀏覽:2086

CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報,闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里,Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵(GaN)工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件,定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

最終,他們努力的成果導致無源GaN混頻器設計在輸入三階交調截點(IIP3)與本地振蕩器(LO)驅動器的比率方面超過所有砷化鎵(GaAs)無源混頻器設計 - a品質因數定制MMIC正在創造線性效率。從S波段到K波段(2 GHz到19 GHz),這些新型無源GaN混頻器展示的IIP3數字遠高于30 dBm,LO驅動電平約為20 dBm,線性效率高于10 dB。



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