PTRA087008NB-V1高功率射頻LDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-10-21 17:05:16 瀏覽:447
PTRA087008NB-V1是一款650瓦的高功率射頻LDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。設(shè)計(jì)用于755 MHz至805 MHz的多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。PTRA087008NB-V1采用先進(jìn)的LDMOS工藝制造;PTRA087008NB-V1具有優(yōu)異的熱性能和優(yōu)異的可靠性。
特征
寬帶內(nèi)部輸入輸出匹配
非對(duì)稱設(shè)計(jì):主P1dB=245W典型值;峰值P1dB=380 W典型值
典型的脈沖CW性能;805兆赫;48v;Doherty配置:P3dB=650W時(shí)的輸出功率;效率=52%;增益=19.5 dB
能夠在48 V下處理10:1 VSWR;30 W(WCDMA)輸出功率
集成ESD保護(hù)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品規(guī)格
說明:高功率RF LDMOS FET 650 W;48v;755-805兆赫
最小頻率(MHz):500
最大頻率(MHz):1000
P3dB輸出功率(W):380
增益(dB):18.5
效率(%):52
工作電壓(V):48
包裝類別:塑料
形式:封裝分立晶體管
技術(shù):LDMOS
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