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NPT2024 GaN HEMT是一種寬帶晶體管，針對直流 - 2.7GHz工作進(jìn)行了優(yōu)化，采用推挽式配置。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝，功率為200 W（53 dBm）。NPT2024非常適用于國防通信，陸地移動(dòng)無線電，航空電子設(shè)備，無線基礎(chǔ)設(shè)施，ISM應(yīng)用和VHF / UHF / L / S波段雷達(dá)。采用SIGANTIC®工藝制造 - 一種專有的GaN-on-Silicon技術(shù)。

特征
 Si HEMT D模式晶體管上的GaN
 100％射頻測試
 68％的排水效率@ 900 MHz
 22 dB增益@ 900 MHz
 50 V操作
 可調(diào)諧DC - 2.7 GHz
 適用于線性和飽和應(yīng)用
 符合RoHS *標(biāo)準(zhǔn)，兼容260°C回流焊
 標(biāo)準(zhǔn)塑料包裝，帶螺栓法蘭

應(yīng)用
 航空航天與國防
 航空電子學(xué)
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L / S波段雷達(dá)
 無線基礎(chǔ)設(shè)施

產(chǎn)品規(guī)格
電源電壓：50 V.
PSAT：200瓦
增益：20 dB
測試頻率：0.9 GHz
最大頻率：2,700 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應(yīng)用的GaN on Si技術(shù)供應(yīng)商。我們在Si RF功率晶體管產(chǎn)品上提供廣泛的連續(xù)波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設(shè)計(jì)工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，長脈沖雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN on Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能，