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ADRF5132單級(jí)雙擲反射開(kāi)關(guān)

發(fā)布時(shí)間：2024-12-17 11:36:58 瀏覽：592

ADRF5132是款高功率、反射性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）反射開(kāi)關(guān)，使用無(wú)導(dǎo)線表面貼裝封裝形式。該交換機(jī)特別適合高功率和蜂窩狀基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)應(yīng)用，如長(zhǎng)時(shí)間演進(jìn)（LTE）基站設(shè)備。ADRF5132具備35 dBm LTE的高功率處理效率（在105°C下的均值典型值），2.7 GHz下0.6 dB的低插入損耗，65 dBm的輸入三階截距（典型值）和42.5 dBm的0.1 dB壓縮（P0.1dB）。

ADRF5132板上電源電路在5V的單一正電源電壓和1.1mA的典型電源電流下運(yùn)行，使ADRF5132成為基于pin二極管的開(kāi)關(guān)的理想化替代品。

ADRF5132選用滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封裝形式。

特征

反射性，50?設(shè)計(jì)

低插入損耗：2.7 GHz時(shí)典型為0.6 dB

TCASE=105°C時(shí)的高功率解決

長(zhǎng)時(shí)間（>10年運(yùn)行）

最大功率：43 dBm

CW功率：38 dBm

LTE峰值功率（8 dB標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)）：35 dBm

單事件（<10秒操作）

LTE峰值功率（8 dB標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)）：41 dBm

高線性度

P0.1dB:42.5 dBm典型值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時(shí)的典型值為65 dBm

ESD額定值

HBM:2 kV，2級(jí)

CDM：1.25 kV

單正電源：5V

正向控制，兼容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP封裝形式

應(yīng)用

蜂窩狀/4G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

軍事和高可靠性應(yīng)用

測(cè)試儀器

Pin二極管替換

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