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?1000V分立碳化硅MOSFET CREE

發布時間：2024-12-18 17:18:27 瀏覽：559

CREE提供多種1000V碳化硅（SiC）MOSFET，專門針對新能源充電樁系統等迅速功率開關進行優化；LED電源；及其可再生資源系統。1000V碳化硅MOSFET根據以及具有低導通電阻的特殊器件去解決諸多功率設計挑戰；輸出電容極低；以及低源電感，實現低功率損耗和低傳輸損耗的完美結合。與硅基溶液相比較；CREE碳化硅功率設備系統能夠提高設備功率密度；較高的載波頻率；減少部件數量；及其減少電感器等模塊的規格；電容器；濾波器和變壓器。

特征

整體工作溫度范圍最低1kV Vbr（無需降額）

低輸出電容的高速度開關

低反向恢復（Qrr）的高效本征二極管

有利于并聯，行駛簡單

開爾文源管腳，減少功率損耗和振鈴

優勢

降低整體系統成本費用

提高設備效率，同時減少系統大小

使部件數量減少30%，同時功率密度提高3倍以上，輸出功率提高33%

啟動硬交換拓補

典型應用

LED電源

可再生資源系統

迅速新能源充電樁系統

車載式新能源充電樁

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Product SKU	Blocking Voltage	RDS(ON) at 25°C	Current Rating	Tjmax	Package	Qualification
C3M0065100K	1000 V	65 mΩ	35 A	150 °C	TO-247-4	Industrial
C3M0120100K	1000 V	120 mΩ	22 A	150 °C	TO-247-4	Industrial
C3M0065100J	1000 V	65 mΩ	35 A	150 °C	TO-263-7	Industrial
C3M0120100J	1000 V	120 mΩ	22 A	150 °C	TO-263-7	Industrial

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