產品詳情介紹
AM030WX-BI-R是一種分立砷化鎵pHEMT，其總柵極寬度為3.0毫米。它是一個陶瓷雙包，最多可運行10次千兆赫BI封裝采用特殊設計的陶瓷封裝，采用嵌入式安裝方式，帶有彎曲（BI-G）或直（BI）引線。封裝底部的法蘭同時用作直流接地、射頻接地和熱通道。此部分符合RoHS。
特征
高達10GHz的高頻操作
增益=14dB，P1dB=33dBm，Eff=46%@4GHz
表面貼裝
有效散熱的底層
應用
無線本地環路
驅動放大器
蜂窩無線電
中繼器
C波段VSAT
雷達
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