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所述CHA5266-FAB是在無引線表面上的三級單片砷化鎵中功率放大器安裝密封金屬陶瓷6x6mm2包。

它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。

該電路采用pHEMT工藝制造，柵極長度為0.25μm，通過基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。

它以符合RoHS的SMD封裝提供。