產品詳情介紹
AM012WN-BI-R是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬度為1.25毫米。它是在一個陶瓷雙包操作高達10千兆赫。BI系列采用特殊設計的陶瓷封裝，采用嵌入式安裝方式，帶有彎曲（BI-G）或直（BI）導線。封裝底部的法蘭同時用作直流接地、射頻接地和熱通道。此部分符合RoHS。
特征
高達10GHz的高頻操作
增益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
表面貼裝
有效散熱的底層
應用
高動態接收器
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀器
軍事
干擾器